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问答题简述常规热氧化办法制备SiO₂介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。

参考答案： 迪尔-格罗夫氧化模型可以很好地预测氧化层厚度，热氧化过程主要分为以下三个过程：（1）氧化剂从气体内部以扩散形式穿过滞留层...

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1.问答题简述杂质在SiO₂的存在形式及如何调节SiO₂的物理性质。

参考答案：热氧化层中可能存在各种杂质，某些最常见的杂质是与水有关的化合物，其结构如图所示。如果氧化层在生长中有水存在，一种可能发生...

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2.问答题 以P₂O₂为例说明SiO₂的掩蔽过程。

参考答案：以P₂O₂杂质源为例来说明SiO₂的掩蔽过程：当P

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3.问答题说明SiO₂的结构和性质，并简述结晶型SiO₂和无定形SiO₂的区别。

参考答案：结晶形SiO₂——由Si-O四面体在空间规则排列构成每个顶角的O原子与两个...

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4.问答题简述几种常用的氧化方法及其特点。

参考答案：制备SiO2的方法有很多，热分解淀积、溅射、真空蒸发、阳极氧化法、化学气相淀积、热氧化法等。热生长法制备的SiO2质量好...

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5.问答题什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？

参考答案：实际的扩散温度一般为900-1200℃，在这个温度范围内，杂质在硅中的固溶度随温度变化不大，采用恒定表面源...

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6.问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm^-2。

参考答案：（1）如果这次预淀积进行了总共t分钟，若预淀积温度不变，引入3Qcm^-2

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7.问答题以P₂O₅为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

参考答案：在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进...

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8.问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。

参考答案：费克第一定律：C杂质浓度；D扩散系数（单位为cm2/s）J材料净流量（单位时间内流过单位面积的原子个数）解释：如果在一个...

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9.问答题杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。

参考答案：①交换式：两相邻原子由于有足够高的能量，互相交换位置。②空位式：由于有晶格空位，相邻原子能移动过来。③填隙式：在空隙中的...

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10.问答题集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

参考答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...

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