一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中 二、在后续工艺中,保护下面的材料
最新试题
定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率?
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
描述化学机械平坦化工艺。
例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。
离子源的目的是什么?最常用的离子源是什么?
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
什么是掺杂?例举四种常用的掺杂杂质并说明它们是n型还是p型?
解释什么是暗场掩模板?
描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。