集成电路工艺原理章节练习(2019.05.04)

来源：考试资料网

1.问答题简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？

参考答案：对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的...

2.问答题简述多层印制电路基板制造工艺？

参考答案：裁板、内层前处理、压膜、曝光、DES连线、CCD冲孔、AOI检验、VRS确认、棕化、铆钉、叠板、压合、后处理、上PIN、...

3.判断题纯净的半导体是一种有用的半导体。

4.名词解释平均投影射程Rp

所有入射离子的投影射程的平均值。

5.名词解释退火

参考答案：如果将注有离子的硅片在一定温度下，经过适当时间的热处理，则硅片中的损伤就会得到大部分消除，少数载流子的寿命以及迁移率也会...

6.判断题CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。

7.填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

参考答案：正性光刻；负性光刻胶；正性光刻胶

8.名词解释保形覆盖

所有图形上淀积的薄膜厚度相同；也称共性覆盖。

9.问答题简述芯片粘结材料？

参考答案：通常采用粘接技术实现管芯与底座的连接的材料。要求机械强度、化学性能稳定、导电、导热、热匹配、低固化温度、可操作性。

10.填空题刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

参考答案：被刻蚀图形的侧壁形状；各向同性；各向异性