什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？

MOS器件存在哪些二阶效应？

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。

在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是（）。

把半导体级硅的多晶硅块，转换成一块大的单晶硅的过程，称作（）。生长后的单晶硅被称为（）。

试用电导率为102/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。

什么是MOS器件的体效应？

目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？