半导体物理章节练习(2019.05.13)

来源：考试资料网

1.填空题反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

参考答案：雪崩；隧道

2.填空题半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。

参考答案：电子和空穴；复合中心

3.问答题说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？

深能级杂质在半导体中起复合中心或陷阱的作用
浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用

4.问答题 证明非平衡载流子的寿命满足，并说明式中各项的物理意义。

5.问答题 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数ε_r=11.1，空穴的有效质量m^*_p=0.86m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①受主杂质电离能；
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

6.问答题简述传输门电路主要类型。

参考答案：NMOS型、全传输门型、CMOS型、PMOS上拉管型。

7.名词解释过剩载流子

参考答案：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n...

8 电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（）

9.问答题举例说明杂质补偿作用。

10 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。