半导体物理章节练习(2020.05.22)

来源：考试资料网

1.判断题PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

2.问答题说明费米能级的物理意义；试画出N型半导体的费米能级随温度的变化曲线。

参考答案：费米能级E_F是反映电子在各个能级中分布情况的参数。能量为E_F的量...

3.问答题n型硅中，掺杂浓度ND=10¹⁶cm^-3，光注入的非平衡载流子浓度∆n=∆p=10¹⁴cm^-3。计算无光照和有光照的电导率。

4.问答题 （1）试证明在室温下，当半导体的电子浓度时，其电导率为最小值，求在上述条件下的空穴浓度。
（2）当n_i=2.5×10¹³/cm³，μ_p=1900cm²/v˙s，μ_n=3800cm²/v˙s，求其本征电导率和电波电导率。
（3）当n₀和p₀为何值时，电导率等于本征电导率。

5.问答题画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。

6.问答题非辐射复合主要有哪几种？

非辐射复合：
表面复合；
深能级复合；
俄歇复合；

7.问答题 在室温下，高纯锗的电子迁移率μ_n=3900cm²/v˙s，设电子的有效质量为m_n=3×10^-29g，求：
（1）热运动速度平均值
（2）平均自由时间
（3）平均自由路程
（4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

8.判断题二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。

9.问答题 简述各类MOS单级放大电路的特点。

10.问答题简述有效质量与能带结构的关系；

能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。