半导体物理章节练习(2020.05.22)

判断题
PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
答案：错误
问答题
说明费米能级的物理意义；试画出N型半导体的费米能级随温度的变化曲线。
答案：费米能级E_F是反映电子在各个能级中分布情况的参数。能量为E_F的量...
问答题
n型硅中，掺杂浓度ND=1016cm-3，光注入的非平衡载流子浓度∆n=∆p=1014cm-3。计算无光照和有光照的电导率。
答案：
问答题
（1）试证明在室温下，当半导体的电子浓度时，其电导率为最小值，求在上述条件下的空穴浓度。（2）当ni=2.5×1013/cm3，μp=1900cm2/v˙s，μn=3800cm2/v˙s，求其本征电导率和电波电导率。（3）当n0和p0为何值时，电导率等于本征电导率。
答案：
问答题
画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。
答案：
问答题
非辐射复合主要有哪几种？
答案：
非辐射复合：
表面复合；
深能级复合；
俄歇复合；
问答题
在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求：（1）热运动速度平均值（2）平均自由时间（3）平均自由路程（4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度
答案：
判断题
二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
答案：错误
问答题
简述各类MOS单级放大电路的特点。
答案：
问答题
简述有效质量与能带结构的关系；
答案：
能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。