半导体物理章节练习(2020.05.26)

来源：考试资料网
1.问答题半导体本征吸收与本征光电导
参考答案：

本征吸收：半导体吸收光子能量大于带隙的光子，使电子直接跃迁到导带。
又本征吸收产生的非平衡载流子的增加使半导体电导率增加。

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2.问答题简述光电导计算公式。
参考答案：

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3.问答题简述MOS结构的平衡能带图（表面势、功函数和亲和能）及平衡能带关系。
参考答案：

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4.问答题简述电子-空穴对的产生率计算公式。
参考答案：

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5.填空题从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和发射。
参考答案：间接带隙；直接带隙
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6.问答题有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？
参考答案：选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较好。
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7 三极管的穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流的（）倍.

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8.填空题（）是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，（）是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是（），称为（）关系式。
参考答案：

迁移率；扩散系数；；爱因斯坦

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9.填空题（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
参考答案：浅能级；深能级
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10 输入电阻高且输出电阻小的电路是（）

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