集成电路技术章节练习(2020.01.11)

来源：考试资料网

1.问答题形成微带线的基本条件是什么？

介质衬底的背面应该完全被低欧姆金属覆盖并接地，使行波的电场主要集中在微带线下面的介质中。

2.判断题当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错，如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错。

3.问答题MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？

源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率

4.问答题什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T型栅极？

栅长小于0.3um

5.名词解释平均投影射程Rp

所有入射离子的投影射程的平均值。

6.填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

参考答案：间隙式扩散机制；替代式扩散机制；激活杂质后

7.填空题硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。

参考答案：四氯化硅（SiCl₄）；三氯硅烷（SiHCl₃）；二氯硅烷（SiH₂Cl₂）；硅烷（SiH₄）

8.问答题MOS管的主要噪声是什么？分别是如何产生的？如何减小？

参考答案：热噪声、闪烁噪声；
热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成，闪烁噪声由沟道处SiO2与Si界面上电子的充放电...

9.问答题晶向指数表示什么？

所有相互平行，方向一致的晶向晶面，指数代表所有相互平行的一组晶面

10.填空题光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。

参考答案：溶解度；温度；甩胶时间；转速