集成电路工艺原理章节练习(2020.06.02)

问答题
什么是无源电阻？什么是有源电阻？举例说明。
答案：无源电阻通常是合金材料或采用掺杂半导体制作的电阻，而有源电阻则是将晶体管进行适当的连接和偏置，利用晶体管的不同的工作区所...
问答题
简述离子注入效应。
答案：沟道效应：当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时就发生了沟道效应。
控制沟道效应的方法：①倾斜硅片...
判断题
CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。
答案：正确
判断题
不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
答案：正确
名词解释
沟道效应
答案：
离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射程比非晶靶远得多，这种现象叫沟道效应。
问答题
为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
答案：不用SF₆等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。
名词解释
自掺杂效应
答案：在外延生长过程中，衬底杂质及其他来源杂质因为热蒸发，或者化学反应等非人为地参入外延层，改变了边界层中的掺杂成分和浓度，从...
填空题
自持放电的形式有（）、（）、（）、（）。
答案：辉光放电；弧光放电；电晕放电；火花放电
判断题
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
答案：正确
名词解释
有限表面源扩散
答案：
扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入，此种扩散称为有限源扩散。