集成电路工艺原理章节练习(2020.06.02)
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参考答案：无源电阻通常是合金材料或采用掺杂半导体制作的电阻，而有源电阻则是将晶体管进行适当的连接和偏置，利用晶体管的不同的工作区所... 参考答案：沟道效应：当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时就发生了沟道效应。
控制沟道效应的方法：①倾斜硅片... 参考答案：
离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射程比非晶靶远得多，这种现象叫沟道效应。
参考答案：不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。 参考答案：在外延生长过程中，衬底杂质及其他来源杂质因为热蒸发，或者化学反应等非人为地参入外延层，改变了边界层中的掺杂成分和浓度，从... 参考答案：
扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入，此种扩散称为有限源扩散。