最新试题
根据图,给出M2管的漏极电流表达式。
题型:问答题
从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过()等步骤。
题型:多项选择题
编写DRC版图验证文件的主要依据是什么?
题型:问答题
集成电路电阻可以通过()产生。
题型:多项选择题
为提高CMOS集成电路的抗自锁能力,可在版图设计上采取哪些措施?
题型:问答题
规定版图几何设计规则的意义是什么?
题型:问答题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题
什么是MOS器件的体效应?
题型:问答题
MOS器件存在哪些二阶效应?
题型:问答题
什么是电阻率?它的单位是什么(国际标准单位制)?
题型:问答题