判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件,例如大于3微米。
您可能感兴趣的试卷
最新试题
硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的()材料等。
题型:多项选择题
材料根据流经材电流的不同可分为三类()。
题型:多项选择题
版图DRC、ERC和LVS的意义是什么?
题型:问答题
BiCMOS技术就是将()和()的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。
题型:多项选择题
在图中,若所有的晶体管都工作在饱和区,画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。
题型:问答题
在晶体材料中,对于长程有序的原子模式最基本的实体就是()。
题型:单项选择题
利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算栅极电容。
题型:问答题
MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响?
题型:问答题
版图设计的基本前提是什么?
题型:问答题
在图中,若所有的晶体管都工作在饱和区,求M4的漏电流。
题型:问答题