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每日一练
章节练习
半导体物理问答题每日一练(2019.03.19)
来源:考试资料网
1.问答题
写出半导体的电中性方程,此方程在半导体中有何重要意义?
参考答案:
电子浓度等于空穴浓度。
意义:平衡状态下半导体体内是电中性的。
2.问答题
什么是能量状态密度?
参考答案:
能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。
3.问答题
已知N
c
=1.05×10
19
cm
-3
,N
V
=3.9×10
18
cm
-3
,E
g
=0.67eV,求温度为300K和500K时,含施主浓度N
D
=5×10
15
cm
-3
,受主浓度N
A
=2×10
9
cm
-3
的锗中电子及空穴浓度为多少?
参考答案:
4.问答题
晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加10
2
V/m,10
7
V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
参考答案:
5.问答题
设n型硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为0.039eV,300K时的EF位于导带下面0.026eV处,计算锑的浓度和导带中电子浓度。
参考答案: