半导体芯片制造工半导体制造技术问答题每日一练(2019.07.26)

问答题
以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
答案：以P₂O₂杂质源为例来说明SiO₂的掩蔽过程：当P
问答题
在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。
答案：光学放射频谱分析是利用检测等离子体中某种波长的光线强度变化来达到终点检测的目的。光强的变化反映了等离子体中原子或分子浓度...
问答题
什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
答案：溅射产额：影响因素：离子质量、离子能量、靶原子质量、靶的结晶性只有当入射离子的能量超过一定能量（溅射阈值）时，才能发生溅...
问答题
分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
答案：快速气相掺杂（RVD，RapidVapor-phaseDoping）利用快速热处理过程（RTP）将处在掺杂剂气氛中的硅片...
问答题
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
答案：CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋...