微电子学单项选择题每日一练(2020.04.13)

单项选择题
不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：1.刻蚀2.前烘3..显影4.去胶5.涂胶6.曝光7.坚膜以下选项排列正确的是：（）。
A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。
单项选择题
离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。
A. 电活性
B. 晶格损伤
C. 横向效应
D. 沟道效应
单项选择题
半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）。
A.结晶形二氧化硅
B.无定形二氧化硅
单项选择题
化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长；2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上；3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应；4.CVD SiO2，温度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4
单项选择题
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
A. 激活杂质后
B. 一种物质在另一种物质中的运动
C. 预淀积
D. 高温多步退火