化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。&e...

单项选择题 化学气相淀积SiO₂与热生长SiO₂相比较，下面哪些说法是正确的：（）。
1.热生长SiO₂只能在Si衬底上生长；
2.CVD SiO₂可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上；
3.CVD SiO₂，衬底硅不参加反应；
4.CVD SiO₂，温度低。

A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4

1.填空题有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。

2.填空题杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。

3.填空题入射离子的两种能量损失模型为：核碰撞和（）碰撞。

4.填空题负胶适于刻蚀（）（细/粗）线条。

5.填空题曝光后显影时感光的胶层没有溶解，没有感光的胶层溶解，这种胶为（）（正/负）胶。

6.判断题在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制

7.单项选择题 下面选项属于主扩散的作用有（）。
1.调节表面浓度
2.控制进入硅表面内部的杂质总量
3.控制结深

A.1
B.2
C.3
D.1、3

8.单项选择题 不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：
1.刻蚀
2.前烘
3..显影
4.去胶
5.涂胶
6.曝光
7.坚膜
以下选项排列正确的是：（）。

A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。

9.单项选择题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）。

A.结晶形二氧化硅
B.无定形二氧化硅

10.名词解释再分布