负胶适于刻蚀（）（细/粗）线条。

填空题负胶适于刻蚀（）（细/粗）线条。

1.填空题曝光后显影时感光的胶层没有溶解，没有感光的胶层溶解，这种胶为（）（正/负）胶。

2.判断题在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制

3.单项选择题 下面选项属于主扩散的作用有（）。
1.调节表面浓度
2.控制进入硅表面内部的杂质总量
3.控制结深

A.1
B.2
C.3
D.1、3

4.单项选择题 不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：
1.刻蚀
2.前烘
3..显影
4.去胶
5.涂胶
6.曝光
7.坚膜
以下选项排列正确的是：（）。

A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。

5.单项选择题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）。

A.结晶形二氧化硅
B.无定形二氧化硅

6.名词解释再分布

7.名词解释平均投影射程RP

8.名词解释非桥键氧

9.名词解释阱

10.名词解释互连