2级反相器中管子的栅长和栅宽均为4μm，Cox=1fF/μm2，N管和P管工...

问答题2级反相器中管子的栅长和栅宽均为4μm，C_ox=1fF/μm²，N管和P管工作在饱和区的等效电阻分别为Rn=27.5KΩ和Rp=82.5KΩ，求第一级反相器的下降延迟。

1.问答题 求图中电路从A到B的电容值，已知面电容值（fF/μm²）分别为：C_ox为0.6，金属与衬底为0.03，多晶硅与衬底为0.045。

2.问答题 写出图1和图2电路的逻辑表达式OUT=f（A，B，C，D），并画出电路原理图。

3.问答题 画出图中版图的电路原理图。

4.问答题 根据下面的版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：C_ox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF/μm²）。

5.问答题一个采用10个CMOS反相器的系统工作在30MHz和5V电源下，试计算每级门的功耗和平均电流，如果金属线的最大电流密度是0.8mA/μm，试求电源和地线的宽度？（假定CMOS反相器的负载电容是0.15pF，PN结的反向漏电流是0.2nA）

6.问答题 试画出下图版图的电路原理图。

7.问答题 试写出图中W、X、Y、Z的逻辑表达式。

8.问答题 试写出图中F1和F2的逻辑表达式。

9.问答题 画出下列版图的电路原理图。

10.问答题 试画出用预充电逻辑实现

的电路原理图的电路图，并画出在一个时钟周期内，当A=1、B=0、C=1时，X的变化波形。