一个采用10个CMOS反相器的系统工作在30MHz和5V电源下，试计算每级门...

问答题一个采用10个CMOS反相器的系统工作在30MHz和5V电源下，试计算每级门的功耗和平均电流，如果金属线的最大电流密度是0.8mA/μm，试求电源和地线的宽度？（假定CMOS反相器的负载电容是0.15pF，PN结的反向漏电流是0.2nA）

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1.问答题 试画出下图版图的电路原理图。

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2.问答题 试写出图中W、X、Y、Z的逻辑表达式。

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3.问答题 试写出图中F1和F2的逻辑表达式。

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4.问答题 画出下列版图的电路原理图。

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5.问答题 试画出用预充电逻辑实现

的电路原理图的电路图，并画出在一个时钟周期内，当A=1、B=0、C=1时，X的变化波形。

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6.问答题 试画出下列版图的电路原理图

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7.问答题设1μmCMOS工艺的参数为：栅氧化层厚度35nm，栅氧化层介电常数ε₀ε_ox为3.45x10^-13F/cm，电子迁移率500cm²/V.s空穴迁移率200cm²/V.s，阈值电压V_tn=-V_tp=0.8V晶体管最小栅宽3μm，电源电压3V，有两个反相器相连（栅长相等），前一级为最小尺寸，后一级宽长比为前一级的3倍，驱动的负载C_L=10fF，试求反相器链的延迟时间。

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8.问答题 画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据下图的输入画出X，Y的波形（不考虑延迟）。

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9.问答题 下图是一个电路的部分版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：C_ox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF/μm²）。

参考答案：金属与衬底：58λ²×0.03=1.74λ²，多...

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10.问答题 在下图中，分别给出测试1/1、3/1、4/0错误的测试向量。"

参考答案：测试1/1错误的测试向量：x1，x2，x3=0，1，0
测试3/1错误的测试向量：x1，x2，x3=0，0，0...

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