在下图中，利用NMOS管实现A与B的同或函数。

四级反相器逐级相联，第一级为标准尺寸CMOS反相器，若后一级反相器的几何尺寸均为前一级的2倍（指栅宽），且最后一级反相器驱动的负载电容就等于最后一级反相器的栅电容，试计算信号通过四级反相器链的延迟时间。（设标准反相器的本征门延迟时间为）

假设k丶N=2k丶p，试比较最坏工作情况下具有对称驱动能力的两输入与非门和两输入或非门的面积之比。

画出图中版图的电路原理图。

用预充电逻辑设计画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF，负载电容CL=10fF.VDD=1V，试由下图输入信号画出的波形，并标出相应的电压值。

试画出下图版图的电路原理图。

用标准反相器直接驱动负载的延迟时间tdir。

写出图1和图2电路的逻辑表达式OUT=f（A，B，C，D），并画出电路原理图。

试用多米诺方法实现下列逻辑方程：R=AB+BC+AC

画出下列版图的电路原理图。