问答题
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试计算两输入与非门,两输入或非门和CMOS反相器的门延迟时间,假设它们的负载均为相同尺寸CMOS反相器。
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在下图中,分别给出测试1/1、3/1、4/0错误的测试向量。"
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若反相器的输出端接有4个相同尺寸的反相器,问该反相器的门延迟时间是多少?
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试画出下图版图的电路原理图。
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试用两输入LUT单元实现逻辑式:Z=AB+CD
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对于的三输入CMOS与非门,试计算最坏情况下的上升时间和下降时间。如果要获得对称的驱动能力,应采取什么措施?是否能够实现无条件的对称驱动能力?
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2级反相器中管子的栅长和栅宽均为4μm,Cox=1fF/μm2,N管和P管工作在饱和区的等效电阻分别为Rn=27.5KΩ和Rp=82.5KΩ,求第一级反相器的下降延迟。
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根据下面的版图,求A到B的总电容,已知某工艺的典型面电容值为:Cox为0.6,金属与衬地为0.03,金属与多晶硅为0.045,金属与扩区为0.05,多晶硅与衬地为0.045,面电容的单位为fF/μm2)。
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用标准反相器直接驱动负载的延迟时间tdir。
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画出图中版图的电路原理图。
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求图中电路从A到B的电容值,已知面电容值(fF/μm2)分别为:Cox为0.6,金属与衬底为0.03,多晶硅与衬底为0.045。
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