问答题
试画出下图版图的电路原理图。
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画出下列版图的电路原理图。
5.问答题
试画出下列版图的电路原理图
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在下图中,利用NMOS管实现A与B的同或函数。
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假设k丶N=2k丶p,试比较最坏工作情况下具有对称驱动能力的两输入与非门和两输入或非门的面积之比。
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CMOS反相器的负载为相同尺寸的反相器时,反相器的门延迟时间是多少?计算中只考虑栅电容负载的影响。
题型:问答题
某CMOS微处理器有40万支晶体管,工作在20MHz频率下,工作电压为5V。假设该微处理器是由五个晶体管组成的基本门实现的,每个基本门的负载为0.1pF,试计算该芯片的动态功耗。这种计算方法是否正确?如果不正确,试提出改正方案。
题型:问答题
在下图中,分别给出测试1/1、3/1、4/0错误的测试向量。"
题型:问答题
四级反相器逐级相联,第一级为标准尺寸CMOS反相器,若后一级反相器的几何尺寸均为前一级的2倍(指栅宽),且最后一级反相器驱动的负载电容就等于最后一级反相器的栅电容,试计算信号通过四级反相器链的延迟时间。(设标准反相器的本征门延迟时间为)
题型:问答题
根据下面的版图,求A到B的总电容,已知某工艺的典型面电容值为:Cox为0.6,金属与衬地为0.03,金属与多晶硅为0.045,金属与扩区为0.05,多晶硅与衬地为0.045,面电容的单位为fF/μm2)。
题型:问答题
画出下列版图的电路原理图。
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