在下图中，利用NMOS管实现A与B的同或函数。

问答题 在下图中，利用NMOS管实现A与B的同或函数。

1.问答题 试用Weinberger阵列结构实现下列逻辑表达式：

2.问答题 用预充电逻辑设计

画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF，负载电容C_L=10fF.V_DD=1V，试由下图输入信号画出的波形，并标出相应的电压值。

3.问答题试用两输入LUT单元实现逻辑式：Z=AB+CD

4.问答题试用多米诺方法实现下列逻辑方程：R=AB+BC+AC

5.问答题 画出图中版图的电路原理图。

6.问答题 画出图中版图的电路原理图。

7.问答题某CMOS微处理器有40万支晶体管，工作在20MHz频率下，工作电压为5V。假设该微处理器是由五个晶体管组成的基本门实现的，每个基本门的负载为0.1pF，试计算该芯片的动态功耗。这种计算方法是否正确？如果不正确，试提出改正方案。

8.问答题假设某电路的负载等价于500个标准反相器，且标准反相器的本征门延迟时间为t_pd，试计算：用两级放大反相器驱动负载的延迟时间。

9.问答题假设某电路的负载等价于500个标准反相器，且标准反相器的本征门延迟时间为t_pd，试计算：用优化设计的逐级放大反相器链驱动负载的延迟时间t_cas，并给出放大器的级数N。

10.问答题假设某电路的负载等价于500个标准反相器，且标准反相器的本征门延迟时间为t_pd，试计算：用标准反相器直接驱动负载的延迟时间t_dir。