对于的三输入CMOS与非门，试计算最坏情况下的上升时间和下降时间。如果要获得对称的驱动能力，应采取什么措施？是否能够实现无条件的对称驱动能力？

下图是一个电路的部分版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：Cox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF/μm2）。

求图中电路从A到B的电容值，已知面电容值（fF/μm2）分别为：Cox为0.6，金属与衬底为0.03，多晶硅与衬底为0.045。

若反相器的输出端接有4个相同尺寸的反相器，问该反相器的门延迟时间是多少？

用预充电逻辑设计画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF，负载电容CL=10fF.VDD=1V，试由下图输入信号画出的波形，并标出相应的电压值。

已知试计算两输入与非门，两输入或非门和CMOS反相器的门延迟时间，假设它们的负载均为相同尺寸CMOS反相器。

用两级放大反相器驱动负载的延迟时间。

画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据下图的输入画出X，Y的波形（不考虑延迟）。

写出图1和图2电路的逻辑表达式OUT=f（A，B，C，D），并画出电路原理图。

2级反相器中管子的栅长和栅宽均为4μm，Cox=1fF/μm2，N管和P管工作在饱和区的等效电阻分别为Rn=27.5KΩ和Rp=82.5KΩ，求第一级反相器的下降延迟。