对于的三输入CMOS与非门，试计算最坏情况下的上升时间和下降时间。如果要获得...

问答题 对于的三输入CMOS与非门，试计算最坏情况下的上升时间和下降时间。如果要获得对称的驱动能力，应采取什么措施？是否能够实现无条件的对称驱动能力？

参考答案：

电路传输特性与输入信号有关，不可能得到完全对称的电学特性!

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若该CMOS反相器的输出端接了一个60fF的电容，在20MHz工作频率下电路的功耗是多少？

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2.问答题 设某1μmCMOS工艺的参数如下

若反相器的输出端接有4个相同尺寸的反相器，问该反相器的门延迟时间是多少？

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3.问答题 设某1μmCMOS工艺的参数如下

CMOS反相器的负载为相同尺寸的反相器时，反相器的门延迟时间是多少？计算中只考虑栅电容负载的影响。

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4.问答题 设某1μmCMOS工艺的参数如下

P管几何尺寸为多少才能获得与N管相同的增益因子。

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5.问答题 设某1μmCMOS工艺的参数如下

试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子β_n。

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6.问答题 利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容C_ox=10^-3pF/μm²，扩散区电容C_ja=10^-4pF/μm²，扩散区周边电容为C_ja=10^-3pF/μm，场区多晶硅与衬底之间的电容C_p=5×10^-5pF/μm²，试计算多晶硅区和扩散区的电容。

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7.问答题假设MOS电路中某层的电阻率ρ=1Ω.cm，该层的厚度为1μm计算该材料的方块电阻值。

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8.问答题假设MOS电路中某层的电阻率ρ=1Ω.cm，该层的厚度为1μm若使用方块电阻的概念，计算该材料电阻的公式是什么？

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9.问答题假设MOS电路中某层的电阻率ρ=1Ω.cm，该层的厚度为1μm由这层材料制作的长度为55μm、宽度为5μm的电阻值。

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10.问答题 图2.10版图中，若P管的L/W=8，N管的L/W=1/3，试用表2.3给出的设计规则，求 P阱左边缘与P+区右边缘的最小距离d。

参考答案：