某CMOS微处理器有40万支晶体管，工作在20MHz频率下，工作电压为5V。...

问答题某CMOS微处理器有40万支晶体管，工作在20MHz频率下，工作电压为5V。假设该微处理器是由五个晶体管组成的基本门实现的，每个基本门的负载为0.1pF，试计算该芯片的动态功耗。这种计算方法是否正确？如果不正确，试提出改正方案。

1.问答题假设某电路的负载等价于500个标准反相器，且标准反相器的本征门延迟时间为t_pd，试计算：用两级放大反相器驱动负载的延迟时间。

2.问答题假设某电路的负载等价于500个标准反相器，且标准反相器的本征门延迟时间为t_pd，试计算：用优化设计的逐级放大反相器链驱动负载的延迟时间t_cas，并给出放大器的级数N。

3.问答题假设某电路的负载等价于500个标准反相器，且标准反相器的本征门延迟时间为t_pd，试计算：用标准反相器直接驱动负载的延迟时间t_dir。

4.问答题四级反相器逐级相联，第一级为标准尺寸CMOS反相器，若后一级反相器的几何尺寸均为前一级的2倍（指栅宽），且最后一级反相器驱动的负载电容就等于最后一级反相器的栅电容，试计算信号通过四级反相器链的延迟时间。（设标准反相器的本征门延迟时间为）

假设标准尺寸反相器的尺寸为：

5.问答题 已知

试计算两输入与非门，两输入或非门和CMOS反相器的门延迟时间，假设它们的负载均为相同尺寸CMOS反相器。

6.问答题假设k^丶_N=2k^丶_p，试比较最坏工作情况下具有对称驱动能力的两输入与非门和两输入或非门的面积之比。

7.问答题 对于的三输入CMOS与非门，试计算最坏情况下的上升时间和下降时间。如果要获得对称的驱动能力，应采取什么措施？是否能够实现无条件的对称驱动能力？

电路传输特性与输入信号有关，不可能得到完全对称的电学特性!

8.问答题 设某1μmCMOS工艺的参数如下

若该CMOS反相器的输出端接了一个60fF的电容，在20MHz工作频率下电路的功耗是多少？

9.问答题 设某1μmCMOS工艺的参数如下

若反相器的输出端接有4个相同尺寸的反相器，问该反相器的门延迟时间是多少？

10.问答题 设某1μmCMOS工艺的参数如下

CMOS反相器的负载为相同尺寸的反相器时，反相器的门延迟时间是多少？计算中只考虑栅电容负载的影响。