问答题假设k丶N=2k丶p,试比较最坏工作情况下具有对称驱动能力的两输入与非门和两输入或非门的面积之比。
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画出用多米诺逻辑实现X=AB+C,Y=XD的电路图,并根据下图的输入画出X,Y的波形(不考虑延迟)。
题型:问答题
画出图中版图的电路原理图。
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画出图中版图的电路原理图。
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下图是一个电路的部分版图,求A到B的总电容,已知某工艺的典型面电容值为:Cox为0.6,金属与衬地为0.03,金属与多晶硅为0.045,金属与扩区为0.05,多晶硅与衬地为0.045,面电容的单位为fF/μm2)。
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四级反相器逐级相联,第一级为标准尺寸CMOS反相器,若后一级反相器的几何尺寸均为前一级的2倍(指栅宽),且最后一级反相器驱动的负载电容就等于最后一级反相器的栅电容,试计算信号通过四级反相器链的延迟时间。(设标准反相器的本征门延迟时间为)
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试用Weinberger阵列结构实现下列逻辑表达式:
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画出用多米诺逻辑实现X=AB+C,Y=XD的电路图,并根据图中的输入,画出X,Y的波形(不考虑延迟)。
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用两级放大反相器驱动负载的延迟时间。
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试写出图中F1和F2的逻辑表达式。
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已知试计算两输入与非门,两输入或非门和CMOS反相器的门延迟时间,假设它们的负载均为相同尺寸CMOS反相器。
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