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下图是一个电路的部分版图,求A到B的总电容,已知某工艺的典型面电容值为:Cox为0.6,金属与衬地为0.03,金属与多晶硅为0.045,金属与扩区为0.05,多晶硅与衬地为0.045,面电容的单位为fF/μm2)。
题型:问答题
试写出图中W、X、Y、Z的逻辑表达式。
题型:问答题
假设k丶N=2k丶p,试比较最坏工作情况下具有对称驱动能力的两输入与非门和两输入或非门的面积之比。
题型:问答题
用两级放大反相器驱动负载的延迟时间。
题型:问答题
试用多米诺方法实现下列逻辑方程:R=AB+BC+AC
题型:问答题
试画出用预充电逻辑实现的电路原理图的电路图,并画出在一个时钟周期内,当A=1、B=0、C=1时,X的变化波形。
题型:问答题
试用两输入LUT单元实现逻辑式:Z=AB+CD
题型:问答题
画出图中版图的电路原理图。
题型:问答题
试写出图中F1和F2的逻辑表达式。
题型:问答题
用预充电逻辑设计画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF,负载电容CL=10fF.VDD=1V,试由下图输入信号画出的波形,并标出相应的电压值。
题型:问答题