用两级放大反相器驱动负载的延迟时间。

画出下列版图的电路原理图。

假设k丶N=2k丶p，试比较最坏工作情况下具有对称驱动能力的两输入与非门和两输入或非门的面积之比。

求图中电路从A到B的电容值，已知面电容值（fF/μm2）分别为：Cox为0.6，金属与衬底为0.03，多晶硅与衬底为0.045。

画出图中版图的电路原理图。

试画出下图版图的电路原理图。

四级反相器逐级相联，第一级为标准尺寸CMOS反相器，若后一级反相器的几何尺寸均为前一级的2倍（指栅宽），且最后一级反相器驱动的负载电容就等于最后一级反相器的栅电容，试计算信号通过四级反相器链的延迟时间。（设标准反相器的本征门延迟时间为）

试用Weinberger阵列结构实现下列逻辑表达式：

在下图中，利用NMOS管实现A与B的同或函数。

试写出图中F1和F2的逻辑表达式。