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问答题设1μmCMOS工艺的参数为：栅氧化层厚度35nm，栅氧化层介电常数ε₀ε_ox为3.45x10^-13F/cm，电子迁移率500cm²/V.s空穴迁移率200cm²/V.s，阈值电压V_tn=-V_tp=0.8V晶体管最小栅宽3μm，电源电压3V，有两个反相器相连（栅长相等），前一级为最小尺寸，后一级宽长比为前一级的3倍，驱动的负载C_L=10fF，试求反相器链的延迟时间。

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1.问答题 画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据下图的输入画出X，Y的波形（不考虑延迟）。

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2.问答题 下图是一个电路的部分版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：C_ox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF/μm²）。

参考答案：金属与衬底：58λ²×0.03=1.74λ²，多...

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3.问答题 在下图中，分别给出测试1/1、3/1、4/0错误的测试向量。"

参考答案：测试1/1错误的测试向量：x1，x2，x3=0，1，0
测试3/1错误的测试向量：x1，x2，x3=0，0，0...

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4.问答题 在下图中，利用NMOS管实现A与B的同或函数。

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5.问答题 试用Weinberger阵列结构实现下列逻辑表达式：

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6.问答题 用预充电逻辑设计

画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF，负载电容C_L=10fF.V_DD=1V，试由下图输入信号画出的波形，并标出相应的电压值。

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7.问答题试用两输入LUT单元实现逻辑式：Z=AB+CD

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8.问答题试用多米诺方法实现下列逻辑方程：R=AB+BC+AC

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9.问答题 画出图中版图的电路原理图。

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10.问答题 画出图中版图的电路原理图。

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