已知电子的有效质量me=9.1×10-31kg，空穴的有效质量mh=3.8×10-30kg，GaAs单量子阱厚度d=8nm，计算在第一个电子的子能带态（n=1）和在第一个空穴子能带态（n=1）的偏移。

写出YAG荧光粉的制备化学表达式。

某大功率LED，其功率为5瓦，支架焊接点的温度为55℃，芯片到焊接点的总热阻7℃/W，试求该LED的结温是多少？

某GaN发光二极管，温度变化系数k=-2mV/K。在结温50℃时它的正向电压降为3.40伏，当结温上升到80℃时其正向电压降是多少？

阐述多色芯片中三芯片白光LED红、绿、蓝光的混色原理。

已知电子的有效质量me=9.1×10-31kg，空穴的有效质量mh=3.8×10-30kg，GaAs单量子阱厚度d=8nm，GaAs量子阱带隙能量Eg1=1.424eV，求该LED在第一子能带态的发光波长。

在大功率单芯片LED封装时，芯片可以视为点光源，假如芯片位于硅胶半球透镜的圆心处O（x’，y’，z’），即坐标原点处。若封装球面的曲率半径R=3.5mm，求三个随机数l=1，m=1，n=2时，芯片发出的某个光子与球面的碰撞位置B的坐标（保留两位小数）。

第一只发光二极管是哪年有哪家公司发明的？

能带与能级的区别是什么？

pn结温度升高对白光LED有什么影响？