计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1...

问答题 计算含有施主杂质浓度为N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1×10¹⁶cm³，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

1.问答题 计算能量在E=E_c到E=E_c+之间单位体积中的量子态数。

2.问答题 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数ε_r=11.1，空穴的有效质量m_p^*=0.86m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①受主杂质电离能；
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

3.问答题 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数ε_r=17，电子的有效质量m_n^*=0.015m₀， m₀为电子的惯性质量，求
①施主杂质的电离能
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

4.问答题举例说明杂质补偿作用。

5.问答题以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。

6.问答题以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

7.问答题实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？

8.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
能带顶部空穴的有效质量m_p^*

9.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
能带底部电子的有效质量m_n^*

10.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
电子在波矢k状态时的速度