问答题以Ga掺入Ge中为例,说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。
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某三极管的IB=20μA时,IE=0.9mA,则它的电流放大系数β=()
题型:单项选择题
若三极管各电极对地的电位是VB=-2.3V,VC=-7V,VE=-2V,则该三极管的工作状态是()
题型:单项选择题
PNP型三极管工作在正常放大状态时,电位最高的是(),最低的是()
题型:单项选择题
NPN型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()
题型:单项选择题
NPN型晶体管工作在放大状态时,基极应当()
题型:单项选择题
温度升高时,三极管的β值(),导通电压VBE(on)()
题型:单项选择题
在某电路中,测得晶体管三个管脚间的电压值分别为:VBE=-0.2V,VEC=5V,VBC=4.8V,则此晶体管的类型和材料分别是()
题型:单项选择题
已知三极管的β=100,若IB=10μA,则该管的IC=()(忽略ICEO)
题型:单项选择题
锗三极管的饱和压降为()。
题型:单项选择题
处于未饱和状态的晶体管基极电流增大,则集电极电流()
题型:单项选择题