以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。_考试资料网

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问答题以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

参考答案： As有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键，还剩余一个电子，同时As原子所在处也多余一个正电荷，称...

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1.问答题实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？

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2.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
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3.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
能带底部电子的有效质量m_n^*

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4.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
电子在波矢k状态时的速度

参考答案：

5.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
能带宽度

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6.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
布里渊区边界

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7.问答题分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）

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Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图所示：

8.问答题晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加10²V/m，10⁷V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

参考答案：

9.问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_V（k）分别为：

价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

参考答案：

10.问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_V（k）分别为：

价带顶电子有效质量

参考答案：