判断题将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。
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6.单项选择题
对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（）
A. 杂质电离和电离杂质散射
B. 本征激发和晶格散射
C. 晶格散射
D. 本征激发
7.多项选择题由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是（）电流，由于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（）电流
A.扩散
B.漂移
C.热运动
8.单项选择题
P型半导体发生强反型的条件（）
A.A
B.B
C.C
D.D
9.多项选择题
P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（）。
A. 相同
B. 不同
C. 无关
D. AB段
E. CD段
F. DE段
G. EF和GH段
10.单项选择题导带底的电子是（）。
A. 带正电的有效质量为正的粒子
B. 带正电的有效质量为负的准粒子
C. 带负电的有效质量为正的粒子
D. 带负电的有效质量为负的准粒子
