单项选择题
P型半导体发生强反型的条件()
A.A
B.B
C.C
D.D
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1.多项选择题
P型半导体MIS结构中发生少子反型时,表面的导电类型与体材料的类型()。在如图所示MIS结构的C-V特性图中,代表去强反型的()。
A. 相同
B. 不同
C. 无关
D. AB段
E. CD段
F. DE段
G. EF和GH段
2.单项选择题导带底的电子是()。
A. 带正电的有效质量为正的粒子
B. 带正电的有效质量为负的准粒子
C. 带负电的有效质量为正的粒子
D. 带负电的有效质量为负的准粒子
4.多项选择题电离后向半导体提供空穴的杂质是(),电离后向半导体提供电子的杂质是()。
A. 受主杂质
B. 施主杂质
C. 中性杂质
9.问答题举例说明杂质补偿作用。
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在某电路中,测得晶体管三个管脚间的电压值分别为:VBE=-0.2V,VEC=5V,VBC=4.8V,则此晶体管的类型和材料分别是()
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