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问答题 请选出正确选项填入括号内
在室温下，半导体Si中掺入浓度为10¹⁴cm^-3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为1.1×10¹⁵cm^-3的硼杂质，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；如果，此时温度从室温升高至K550，则杂质半导体费米能级的位置（）。（已知：室温下，n_i=10¹⁰cm^-3；K550时，n_i=10¹⁷cm^-3）

参考答案：

C；D；G；B；E；H；I

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1.多项选择题电离后向半导体提供空穴的杂质是（），电离后向半导体提供电子的杂质是（）。

A. 受主杂质
B. 施主杂质
C. 中性杂质

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2.问答题 计算含有施主杂质浓度为N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1×10¹⁶cm³，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

参考答案：

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①受主杂质电离能；
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

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5.问答题 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数ε_r=17，电子的有效质量m_n^*=0.015m₀， m₀为电子的惯性质量，求
①施主杂质的电离能
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

参考答案：

6.问答题举例说明杂质补偿作用。

参考答案：

7.问答题以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。

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8.问答题以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

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10.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
能带顶部空穴的有效质量m_p^*

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