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在室温下，半导体Si中掺入浓度为10¹⁴cm^-3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为1.1×10¹⁵cm^-3的硼杂质，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；如果，此时温度从室温升高至K550，则杂质半导体费米能级的位置（）。（已知：室温下，n_i=10¹⁰cm^-3；K550时，n_i=10¹⁷cm^-3）

计算含有施主杂质浓度为N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1×10¹⁶cm³，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

计算能量在E=E_c到E=E_c+之间单位体积中的量子态数。

磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数ε_r=11.1，空穴的有效质量m_p^*=0.86m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①受主杂质电离能；
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数ε_r=17，电子的有效质量m_n^*=0.015m₀， m₀为电子的惯性质量，求
①施主杂质的电离能
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。