分别计算这三块材料的费米能级的位置。

问答题现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分别计算这三块材料的费米能级的位置。

1.问答题现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3判断这三块材料的导电类型

2.问答题现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分别计算这三块材料的电子浓度n₀₁，n₀₂，n₀₃；

3.问答题以n型Si材料为例，画出其电阻率随温度变化的示意图，并作出说明和解释。

4.问答题画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。

5.问答题证明：对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上，即E_Fn>E_F。

6.填空题（）是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，（）是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是（），称为（）关系式。

迁移率；扩散系数；；爱因斯坦

7.填空题当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。

8.填空题半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。前者在（）下起主要作用，后者在（）下起主要作用。

9.填空题纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。

10.问答题 如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。

判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）