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问答题证明：对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等，方向相反。即：v（k）= －v（－k），并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。

参考答案：

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1.问答题室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10⁶个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10²²cm^-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μ_n=3600cm²/V·s，且认为不随掺杂而变化。n_i=2.5×10¹³cm³。

参考答案：

2.问答题现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分别计算这三块材料的费米能级的位置。

参考答案：

3.问答题现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3判断这三块材料的导电类型

参考答案：

4.问答题现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分别计算这三块材料的电子浓度n₀₁，n₀₂，n₀₃；

参考答案：

5.问答题以n型Si材料为例，画出其电阻率随温度变化的示意图，并作出说明和解释。

参考答案：

6.问答题画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。

参考答案：

7.问答题证明：对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上，即E_Fn>E_F。

参考答案：

8.填空题（）是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，（）是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是（），称为（）关系式。

参考答案：

迁移率；扩散系数；；爱因斯坦

9.填空题当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。

参考答案：扩散；漂移

10.填空题半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。前者在（）下起主要作用，后者在（）下起主要作用。

参考答案：电离杂质散射；晶格振动散射；电离施主或电离受主形成的库伦势场；温度高