在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。

单项选择题在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。

A. 在禁带中线处
B. 靠近导带底
C. 靠近价带顶
D. 以上都不是

1.填空题在热力学温度零度时，能量比F_F小的量子态被电子占据的概率为（），当温度大于热力学温度零度时，能量比E_F小的量子态被电子占据的概率为（）。

2.填空题将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用，若Si取代As则起（）杂质作用。

3.单项选择题砷化稼的能带结构是（）能隙结构。

A. 直接
B. 间接

4.单项选择题空穴是（）。

A.带正电的质量为正的粒子
B.带正电的质量为正的准粒子
C.带正电的质量为负的准粒子
D.带负电的质量为负的准粒子

5.填空题受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。

6.填空题半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

7.填空题通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。

8.填空题在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为（），高于费米能级2kT能级处的占据概率为（）。

9.填空题半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。

10.填空题两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。