MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。