理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。