MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。