实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。