绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。