MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

MOS管阈值电压的单位是eV。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。