半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。