晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。