栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

第一块集成电路发明于（）年。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。