问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
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栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
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双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
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处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题